GeneSiC Semiconductor / 1N3767
Η εικόνα είναι για αναφορά, επικοινωνήστε μαζί μας για να λάβετε την πραγματική εικόνα
1N3767
| Αριθμός ανταλλακτικού κατασκευαστή: | 1N3767 |
| Κατασκευαστής: | GeneSiC Semiconductor |
| Μέρος της Περιγραφής: | DIODE GEN PURP 900V 35A DO5 |
| Φύλλα δεδομένων: | 1N3767 Φύλλα δεδομένων |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / Κατάσταση RoHS: | Χωρίς μόλυβδο / Συμβατό με RoHS |
| Κατάσταση αποθέματος: | Σε απόθεμα |
| Αποστολή από: | Hong Kong |
| Τρόπος Αποστολής: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ
- Το GeneSiC Semiconductor 1N3767 είναι διαθέσιμο στο chipnets.com. Πωλούμε μόνο καινούργιο και πρωτότυπο ανταλλακτικό και προσφέρουμε χρόνο εγγύησης 1 έτους. Εάν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε καλύτερη τιμή, επικοινωνήστε μαζί μας, κάντε κλικ στο Online Chat ή στείλτε μας μια προσφορά.
Όλα τα εξαρτήματα Eelctronics θα συσκευάζονται με μεγάλη ασφάλεια με αντιστατική προστασία ESD.
Προσδιορισμός
| Τύπος | Περιγραφή |
|---|---|
| Σειρά | - |
| Πακέτο | Bulk |
| Κατάσταση μέρους | Active |
| Τύπος διόδων | Standard |
| Τάση - DC Reverse (Vr) (Max) | 900 V |
| Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) | 35A |
| Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν | 1.2 V @ 35 A |
| Ταχύτητα | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Χωρητικότητα @ Vr, F | - |
| Τύπος στερέωσης | Chassis, Stud Mount |
| Πακέτο / θήκη | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | DO-5 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Διασταύρωση | -65°C ~ 190°C |
Κατάσταση μετοχών: Αποστολή αυθημερόν
Ελάχιστο: 1
| Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Εξωτ. Τιμή |
|---|---|---|
Η τιμή δεν είναι διαθέσιμη, παρακαλώ RFQ |
||
Υπολογισμός φορτίου
40 $ ΗΠΑ από τη FedEx.
Άφιξη σε 3-5 μέρες
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Δωρεάν αποστολή στα πρώτα 0,5 κιλά για παραγγελίες άνω των 150$, Το υπέρβαρο θα χρεωθεί ξεχωριστά
Προστέθηκε στο καλάθι!
Αυτό το προϊόν έχει προστεθεί στο καλάθι σας.