Η εικόνα είναι για αναφορά, επικοινωνήστε μαζί μας για να λάβετε την πραγματική εικόνα

SIZ998DT-T1-GE3

Αριθμός ανταλλακτικού κατασκευαστή:	SIZ998DT-T1-GE3
Κατασκευαστής:	Vishay / Siliconix
Μέρος της Περιγραφής:	MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Φύλλα δεδομένων:	SIZ998DT-T1-GE3 Φύλλα δεδομένων
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / Κατάσταση RoHS:	Χωρίς μόλυβδο / Συμβατό με RoHS
Κατάσταση αποθέματος:	Σε απόθεμα
Αποστολή από:	Hong Kong
Τρόπος Αποστολής:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ: Το Vishay / Siliconix SIZ998DT-T1-GE3 είναι διαθέσιμο στο chipnets.com. Πωλούμε μόνο καινούργιο και πρωτότυπο ανταλλακτικό και προσφέρουμε χρόνο εγγύησης 1 έτους. Εάν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε καλύτερη τιμή, επικοινωνήστε μαζί μας, κάντε κλικ στο Online Chat ή στείλτε μας μια προσφορά.

Όλα τα εξαρτήματα Eelctronics θα συσκευάζονται με μεγάλη ασφάλεια με αντιστατική προστασία ESD.

package

Προσδιορισμός

Τύπος	Περιγραφή
Σειρά	TrenchFET®
Πακέτο	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Κατάσταση μέρους	Active
Τύπος FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Δυνατότητα FET	Standard
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)	30V
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C	20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ	20.2W, 32.9W
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος στερέωσης	Surface Mount
Πακέτο / θήκη	8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή	8-PowerPair®

ΕΠΙΛΟΓΕΣ ΑΓΟΡΑΣ

Κατάσταση μετοχών: 8473

Ελάχιστο: 1

Ποσότητα	Τιμή μονάδας	Εξωτ. Τιμή
Η τιμή δεν είναι διαθέσιμη, παρακαλώ RFQ

Υπολογισμός φορτίου

40 $ ΗΠΑ από τη FedEx.

Άφιξη σε 3-5 μέρες

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Δωρεάν αποστολή στα πρώτα 0,5 κιλά για παραγγελίες άνω των 150$, Το υπέρβαρο θα χρεωθεί ξεχωριστά

Δημοφιλή μοντέλα

Αυτό το προϊόν έχει προστεθεί στο καλάθι σας.