Η εικόνα είναι για αναφορά, επικοινωνήστε μαζί μας για να λάβετε την πραγματική εικόνα

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Αριθμός ανταλλακτικού κατασκευαστή:	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Κατασκευαστής:	IR (Infineon Technologies)
Μέρος της Περιγραφής:	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Φύλλα δεδομένων:	FF8MR12W2M1B11BOMA1 Φύλλα δεδομένων
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / Κατάσταση RoHS:	Χωρίς μόλυβδο / Συμβατό με RoHS
Κατάσταση αποθέματος:	Σε απόθεμα
Αποστολή από:	Hong Kong
Τρόπος Αποστολής:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ: Το IR (Infineon Technologies) FF8MR12W2M1B11BOMA1 είναι διαθέσιμο στο chipnets.com. Πωλούμε μόνο καινούργιο και πρωτότυπο ανταλλακτικό και προσφέρουμε χρόνο εγγύησης 1 έτους. Εάν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε καλύτερη τιμή, επικοινωνήστε μαζί μας, κάντε κλικ στο Online Chat ή στείλτε μας μια προσφορά.

Όλα τα εξαρτήματα Eelctronics θα συσκευάζονται με μεγάλη ασφάλεια με αντιστατική προστασία ESD.

package

Προσδιορισμός

Τύπος	Περιγραφή
Σειρά	CoolSiC™+
Πακέτο	Tray
Κατάσταση μέρους	Active
Τύπος FET	2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET	Silicon Carbide (SiC)
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)	1200V
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C	150A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 60mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs	372nC @ 15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 800V
Ισχύς - Μέγ	20mW (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος στερέωσης	Chassis Mount
Πακέτο / θήκη	Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή	AG-EASY2BM-2

ΕΠΙΛΟΓΕΣ ΑΓΟΡΑΣ

Κατάσταση μετοχών: 45

Ελάχιστο: 1

Ποσότητα	Τιμή μονάδας	Εξωτ. Τιμή
Η τιμή δεν είναι διαθέσιμη, παρακαλώ RFQ

Υπολογισμός φορτίου

40 $ ΗΠΑ από τη FedEx.

Άφιξη σε 3-5 μέρες

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Δωρεάν αποστολή στα πρώτα 0,5 κιλά για παραγγελίες άνω των 150$, Το υπέρβαρο θα χρεωθεί ξεχωριστά

Δημοφιλή μοντέλα

	FF8MR12W2M1B11BOMA1 IR (Infineon Technologies)

Αυτό το προϊόν έχει προστεθεί στο καλάθι σας.