Η εικόνα είναι για αναφορά, επικοινωνήστε μαζί μας για να λάβετε την πραγματική εικόνα

SIS888DN-T1-GE3

Αριθμός ανταλλακτικού κατασκευαστή:	SIS888DN-T1-GE3
Κατασκευαστής:	Vishay / Siliconix
Μέρος της Περιγραφής:	MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Φύλλα δεδομένων:	SIS888DN-T1-GE3 Φύλλα δεδομένων
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / Κατάσταση RoHS:	Χωρίς μόλυβδο / Συμβατό με RoHS
Κατάσταση αποθέματος:	Σε απόθεμα
Αποστολή από:	Hong Kong
Τρόπος Αποστολής:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ: Το Vishay / Siliconix SIS888DN-T1-GE3 είναι διαθέσιμο στο chipnets.com. Πωλούμε μόνο καινούργιο και πρωτότυπο ανταλλακτικό και προσφέρουμε χρόνο εγγύησης 1 έτους. Εάν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε καλύτερη τιμή, επικοινωνήστε μαζί μας, κάντε κλικ στο Online Chat ή στείλτε μας μια προσφορά.

Όλα τα εξαρτήματα Eelctronics θα συσκευάζονται με μεγάλη ασφάλεια με αντιστατική προστασία ESD.

package

Προσδιορισμός

Τύπος	Περιγραφή
Σειρά	ThunderFET®
Πακέτο	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Κατάσταση μέρους	Active
Τύπος FET	N-Channel
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)	150 V
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C	20.2A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)	±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 75 V
Δυνατότητα FET	-
Διασπορά ισχύος (Μέγ.)	52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TA)
Τύπος στερέωσης	Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Πακέτο / θήκη	PowerPAK® 1212-8S

ΕΠΙΛΟΓΕΣ ΑΓΟΡΑΣ

Κατάσταση μετοχών: 3097

Ελάχιστο: 1

Ποσότητα	Τιμή μονάδας	Εξωτ. Τιμή
Η τιμή δεν είναι διαθέσιμη, παρακαλώ RFQ

Υπολογισμός φορτίου

40 $ ΗΠΑ από τη FedEx.

Άφιξη σε 3-5 μέρες

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Δωρεάν αποστολή στα πρώτα 0,5 κιλά για παραγγελίες άνω των 150$, Το υπέρβαρο θα χρεωθεί ξεχωριστά

Δημοφιλή μοντέλα

Αυτό το προϊόν έχει προστεθεί στο καλάθι σας.