Η εικόνα είναι για αναφορά, επικοινωνήστε μαζί μας για να λάβετε την πραγματική εικόνα

SIA429DJT-T1-GE3

Αριθμός ανταλλακτικού κατασκευαστή:	SIA429DJT-T1-GE3
Κατασκευαστής:	Vishay / Siliconix
Μέρος της Περιγραφής:	MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Φύλλα δεδομένων:	SIA429DJT-T1-GE3 Φύλλα δεδομένων
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / Κατάσταση RoHS:	Χωρίς μόλυβδο / Συμβατό με RoHS
Κατάσταση αποθέματος:	Σε απόθεμα
Αποστολή από:	Hong Kong
Τρόπος Αποστολής:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ: Το Vishay / Siliconix SIA429DJT-T1-GE3 είναι διαθέσιμο στο chipnets.com. Πωλούμε μόνο καινούργιο και πρωτότυπο ανταλλακτικό και προσφέρουμε χρόνο εγγύησης 1 έτους. Εάν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε καλύτερη τιμή, επικοινωνήστε μαζί μας, κάντε κλικ στο Online Chat ή στείλτε μας μια προσφορά.

Όλα τα εξαρτήματα Eelctronics θα συσκευάζονται με μεγάλη ασφάλεια με αντιστατική προστασία ESD.

package

Προσδιορισμός

Τύπος	Περιγραφή
Σειρά	TrenchFET®
Πακέτο	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Κατάσταση μέρους	Active
Τύπος FET	P-Channel
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)	20 V
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C	12A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs	62 nC @ 8 V
Vgs (Μέγ.)	±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1750 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET	-
Διασπορά ισχύος (Μέγ.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος στερέωσης	Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή	PowerPAK® SC-70-6 Single
Πακέτο / θήκη	PowerPAK® SC-70-6

ΕΠΙΛΟΓΕΣ ΑΓΟΡΑΣ

Κατάσταση μετοχών: 7308

Ελάχιστο: 1

Ποσότητα	Τιμή μονάδας	Εξωτ. Τιμή
Η τιμή δεν είναι διαθέσιμη, παρακαλώ RFQ

Υπολογισμός φορτίου

40 $ ΗΠΑ από τη FedEx.

Άφιξη σε 3-5 μέρες

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Δωρεάν αποστολή στα πρώτα 0,5 κιλά για παραγγελίες άνω των 150$, Το υπέρβαρο θα χρεωθεί ξεχωριστά

Δημοφιλή μοντέλα

Αυτό το προϊόν έχει προστεθεί στο καλάθι σας.